特許

J-GLOBAL ID：200903057470605704

超電導体の製造方法

発明者： 熊谷 俊弥 ,  真部 高明 ,  近藤 和吉 ,  水田 進 ,  浜岡 明
出願人/特許権者： 工業技術院長 ,  日本化学産業株式会社
代理人 (2件)： 池浦 敏明 ,  池浦 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-185213
公開番号（公開出願番号）：特開平5-009022
出願日： 1991年06月28日
公開日（公表日）： 1993年01月19日
要約：

【要約】【目的】 超導電性複合金属酸化物を製造する際に、その酸化物と基体との反応を防止して、安定性の良い超導電体を製造する。【構成】 基材上に形成された(1)炭酸バリウム、(2)希土類金属酸化物、(3)銅酸化物及び(4)貴金属及び/又はその酸化物からなる無機質膜を、酸素濃度が1vol%以下の不活性ガス雰囲気下又は酸素分圧が0.01atm(絶対圧)以下の減圧下において該膜と基材との間の反応を実質的に生じさせない温度で焼成して該膜中に含まれる炭酸バリウムから炭酸ガスを除去しつつ炭酸バリウムと希土類酸化物と銅酸化物を反応させた後、次いで得られた金属酸化物膜と基材との間の反応を実質的に生じさせない温度で分子状酸素により酸化してバリウム、希土類金属及び銅からなる超電導性複合金属酸化物と貴金属から構成される超電導体膜を形成させることを特徴とする超電導体の製造方法。

請求項（抜粋）：

基材上に形成された(1)炭酸バリウム、(2)希土類金属酸化物、(3)銅酸化物及び(4)貴金属及び/又はその酸化物からなる無機質膜を、酸素濃度が1vol%以下の不活性ガス雰囲気下又は酸素分圧が0.01atm(絶対圧)以下の減圧下において該膜と基材との間の反応を実質的に生じさせない温度で焼成して該膜中に含まれる炭酸バリウムから炭酸ガスを除去しつつ炭酸バリウムと希土類酸化物と銅酸化物を反応させた後、次いで得られた金属酸化物膜と基材との間の反応を実質的に生じさせない温度で分子状酸素により酸化してバリウム、希土類金属及び銅からなる超電導性複合金属酸化物と貴金属から構成される超電導体膜を形成させることを特徴とする超電導体の製造方法。

IPC (5件)：

C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/24 ZAA ,  H01B 12/00 ZAA