特許

J-GLOBAL ID：200903057471569345

レジストパターン形成方法およびかかるレジストパターンを使った半導体装置の製造方法

発明者： 山東 伸明
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-032566
公開番号（公開出願番号）：特開平7-245252
出願日： 1994年03月02日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：

【要約】【目的】 化学増幅型レジストを基板上に塗布し露光後現像した場合に、基板表面の塩基性不純物により、レジストパターンが基板との界面において生じるパターンの裾引きの問題を解決することを目的とする。【構成】 基板の枚葉処理工程において、レジスト堆積工程に先立って、基板表面を一枚ずつ酸処理し、塩基性不純物を除去し、構成する。

請求項（抜粋）：

複数の基板上に、露光により酸を発生させる化学増幅型レジストよりなるレジストパターンを形成するレジストパターン形成方法において、(a) 第1の基板の表面を清浄化して不純物を除去する第1の清浄化工程と;(b) 前記工程(a)の後で実行され、前記第1の基板の表面に化学増幅型レジストよりなる第1のレジスト層を形成する第1のレジスト工程と;(c) 前記工程(b)と実質的に同時に実行され、前記第1の基板とは別の第2の基板の表面を清浄化して不純物を除去する第2の清浄化工程と;(d) 前記工程(c)の後で実行され、前記第2の基板表面に、化学増幅型レジストよりなる第2のレジスト層を形成する第2のレジスト工程と;(e) 別の基板を前記第1の基板として使い、前記工程(a)を、前記工程(d)と実質的に同時に実行する工程と;(f) 前記第1の基板表面上の第1のレジスト層を露光する第1の露光工程と;(g) 前記第2の基板表面上の第2のレジスト層を露光する第2の露光工程と;(h) 前記工程(f)で露光された前記第1のレジスト層を現像液により現像し、前記第1の基板上に第1のレジストパターンを形成する第1の現像工程と;(i) 前記工程(g)で露光された前記第2のレジスト層を現像液により現像し、前記第2の基板上に第2のレジストパターンを形成する第2の現像工程とよりなり、前記工程(a)〜(e)は繰り返し実行されることを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/26