特許

J-GLOBAL ID：200903057474228220

銅酸化物を含む銅変質層の除去液及び除去方法

発明者： 中村 新吾 ,  上谷 文宏 ,  毛塚 健彦 ,  金村 崇 ,  板野 充司
出願人/特許権者： ダイキン工業株式会社
代理人 (3件)： 三枝 英二 ,  掛樋 悠路 ,  斎藤 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-160442
公開番号（公開出願番号）：特開2006-114872
出願日： 2005年05月31日
公開日（公表日）： 2006年04月27日
要約：

【課題】銅酸化物、及び/又は、ドライエッチング及び/又はアッシングによる損傷を受けた、銅酸化物を含む銅変質層を、銅の腐食を抑制し選択的に除去するための除去液を提供する。【解決手段】モノカルボン酸と水からなるドライエッチング及び/又はアッシングによる損傷を受けた、銅酸化物を含む銅変質層の残渣除去液。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

モノカルボン酸0.1〜80重量部と水99.9〜20重量部(水とモノカルボン酸の合計が100重量部)を含むドライエッチング及び/又はアッシングによる損傷を受けた、Cu/low-k多層配線構造の銅酸化物を含む銅変質層の残渣除去液。

IPC (1件)：

H01L 21/304

FI (3件)：

H01L21/304 647A ,  H01L21/304 647B ,  H01L21/304 647Z

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 銅フィルムの研磨後に半導体基板を洗浄するための方法および装置
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-517443   出願人：オントラック・システムズ・インコーポレーテッド
• 半導体回路用洗浄剤及びそれを用いた半導体回路の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-057726   出願人：三菱瓦斯化学株式会社