特許

J-GLOBAL ID：200903057474500915

半導体容量式圧力センサ

発明者： 嶋田 智 ,  門馬 直弘 ,  渡辺 篤雄 ,  宮崎 敦史 ,  堀江 潤一 ,  保川 彰夫 ,  佐藤 真也
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高田 幸彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-280463
公開番号（公開出願番号）：特開2001-099734
出願日： 1999年09月30日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】安定的かつ安価に製造でき、かっ、信頼性と測定精度の高い半導体容量式圧力センサを提供する。【解決手段】半導体基板と、該半導体基板に保持され周囲の圧力の変化に応じて変位するシリコン製ダイアフラムと、前記半導体基板と前記ダイアフラムとの間に形成される空隙と、該空隙の周縁を気密封止する酸化シリコン膜とを有する半導体容量式圧力センサであって、前記ダイアフラムは誘電体を介して前記半導体基板から絶縁されており、該ダイアフラムに対抗する固定電極が前記空隙を介して前記誘電体上に形成されており、前記空隙が0.2μm〜1.3μm、前記ダイアフラムの直径が110μm〜400μm、前記ダイアフラムの厚みが1.9μm〜11.6μmである。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、該半導体基板に保持され周囲の圧力の変化に応じて変位するシリコン製ダイアフラムと、前記半導体基板と前記ダイアフラムとの間に形成される空隙と、該空隙の周縁を気密封止する酸化シリコン膜とを有する半導体容量式圧力センサであって、前記ダイアフラムに対向する固定電極が誘電体上に形成されており、前記ダイアフラムは誘電体を介して前記半導体基板から絶縁されており、前記ダイアフラムの直径が110μm〜400μm、前記ダイアフラムの厚みが1.9μm〜11.6μmであることを特徴とする半導体容量式圧力センサ。

IPC (2件)：

G01L 9/12 ,  H01L 29/84

FI (2件)：

G01L 9/12 ,  H01L 29/84 Z

Fターム (24件)：

2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE25 ,  2F055FF15 ,  2F055FF43 ,  2F055GG15 ,  2F055GG31 ,  2F055GG49 ,  4M112AA01 ,  4M112BA07 ,  4M112CA02 ,  4M112CA12 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA06 ,  4M112DA12 ,  4M112DA15 ,  4M112EA02 ,  4M112EA04 ,  4M112EA06 ,  4M112EA07 ,  4M112FA11