特許

J-GLOBAL ID：200903057479154691

マーク形成方法,マーク計測装置およびマーク計測方法

発明者： 納土 晋一郎
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-109336
公開番号（公開出願番号）：特開2007-281384
出願日： 2006年04月12日
公開日（公表日）： 2007年10月25日
要約：

【課題】スループットを向上する。【解決手段】スキャッタロメトリによって計測されるマークMとして、第1マークM1と第2マークM2とのそれぞれを、ウエハWの面において互いに直交する方向であって互いに異なったピッチで繰り返されたライン・アンド・スペース・パターンになるように、ウエハWの面に形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

スキャッタロメトリによって計測されるマークとして、第1マークと第2マークとのそれぞれを基板の面に形成するマーク形成方法であって、 前記基板の面において第1方向に延在するラインパターンが前記第1方向に直交する第2方向へ第1のピッチで繰り返された第1の繰返しパターンになるように、前記第1マークを形成すると共に、 前記基板の面において前記第2方向に延在するラインパターンが、前記第1のピッチと異なる第2のピッチで前記第1方向へ繰り返された第2の繰返しパターンになるように、前記第2マークを前記第1マークに隣接させて形成する マーク形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 ,  G01B 11/02 ,  G01B 11/24

FI (5件)：

H01L21/30 502V ,  G03F7/20 521 ,  H01L21/30 514E ,  G01B11/02 G ,  G01B11/24 D

Fターム (19件)：

2F065AA22 ,  2F065AA52 ,  2F065BB02 ,  2F065BB27 ,  2F065CC17 ,  2F065FF48 ,  2F065GG24 ,  2F065JJ03 ,  2F065JJ18 ,  2F065JJ26 ,  2F065LL33 ,  2F065LL46 ,  2F065LL67 ,  2F065PP05 ,  2F065PP12 ,  2F065PP13 ,  5F046AA17 ,  5F046EA07 ,  5F046EB00

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法および製造システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-342949   出願人：株式会社日立製作所