特許
J-GLOBAL ID：200903057481534965
シリコン窒化膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-003149
公開番号（公開出願番号）：特開平7-206410
出願日： 1994年01月17日
公開日（公表日）： 1995年08月08日
要約：
【要約】【目的】 膜質が安定したシリコン窒化膜を低温焼成により形成することが可能な方法を提供しようとするものである。【構成】 基板上にペルヒドロ系ポリシラザン溶液を塗布した後、UV照射を行いながら焼成することを特徴としている。
請求項（抜粋）：
基板上にペルヒドロ系ポリシラザン溶液を塗布した後、UV照射を行いながら焼成することを特徴とするシリコン窒化膜の形成方法。
IPC (3件)：
C01B 21/068
, B01J 19/12
, H01L 21/318
