特許
J-GLOBAL ID：200903057482124671
気相成長装置及びエピタキシャル膜の成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-013561
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243161
出願日： 1992年01月29日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：
【要約】【目的】本発明は、気相成長法により基板結晶表面に大口径ウェーハに対し均一な膜厚と抵抗率を持つエピタキシャル膜を形成する気相成長装置及びエピタキシャル膜の成長方法を実現する。【構成】ノズル管が、膜成長に係わるシラン系反応ガスを供給するための高純度石英で形成した第1のノズル管7Aに加え、所定の濃度でエピタキシャル膜中にP型あるいはN型不純物をドーピングすることを目的としてP型あるいはN型不純物を含有させた材料を用いて形成した固体ソースとなる第2のノズル管7Bから構成される。
請求項（抜粋）：
縦型の反応管と、この反応管内に設けられ複数の被成長基板を所定の間隔でほぼ水平に保持するホールダと、前記反応管内に設けられ前記被成長基板の表面にほぼ平行に反応ガスを流す為の複数のガス導入孔を長手方向に有する複数のノズル管とを備えた気相成長装置において、複数の前記ノズル管はシラン系の反応ガスを導入する為の石英製の第1のノズル管とエピタキシャル膜中に導入する不純物を含有する材料で形成され固体ソースとなる第2のノズル管とから構成されていることを特徴とする気相成長装置。
IPC (2件)：
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