特許
J-GLOBAL ID：200903057485201812
SiC単結晶の成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-264188
公開番号（公開出願番号）：特開平7-097299
出願日： 1993年09月28日
公開日（公表日）： 1995年04月11日
要約：
【要約】【目的】 結晶欠陥の少ない良質のSiC単結晶インゴットを成長させる方法を提供する。【構成】 {0001}面に垂直な結晶面を使用する昇華再結晶法において、溶融KOHエッチングによって種結晶表面を除去する方法。
請求項（抜粋）：
種結晶としてSiC単結晶の{0001}面に垂直な結晶面を使用する昇華再結晶法において、前記種結晶の結晶表面を溶融KOHエッチングによって除去することを特徴とするSiC単結晶の成長方法。
IPC (4件)：
C30B 29/36
, C04B 41/91
, C30B 23/02
, H01L 21/308
