特許

J-GLOBAL ID：200903057485721352

樹脂封止型半導体装置

発明者： 鈴木 清昭 ,  内田 健
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-021516
公開番号（公開出願番号）：特開平5-063116
出願日： 1992年02月07日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：

【要約】【構成】 半導体封止樹脂の無機充填剤として、高温で焼成した後疎水化処理を施した酸化マグネシウム又は無機の表面処理剤で疎水化処理を施した窒化アルミニウムを用いる。【効果】 樹脂封止型半導体装置の耐湿性を損なうことなく放熱性を高めることができるので、今後の半導体素子の高集積化、高密度化にも充分に対応することができる。

請求項（抜粋）：

樹脂、硬化剤及び無機充填剤を必須成分とする半導体封止樹脂によって半導体素子が封止されてなる樹脂封止型半導体装置において、前記無機充填剤として800°C以上2800°C以下の温度で焼成した後疎水化処理を施した酸化マグネシウムを用いたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08K 3/22 KAE ,  C08K 3/28 KAG ,  C08K 9/04 KCP ,  C08L 63/00 NKV