半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：國分孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-220504
公開番号（公開出願番号）：特開平10-050852
出願日： 1996年08月02日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：

【要約】【課題】レーザー光による簡便なヒューズ切断方法を提供する。【解決手段】ヒューズ素子13の材料Al(結合エネルギー=78.7kcal/mol)又はCu(結合エネルギー=80.5kcal/mol)よりも大きく且つ下地SiO2 膜(Si-O結合エネルギー=191kcal/mol)12よりも小さな光子エネルギーを有するArFエキシマレーザー光(波長=193nm、光子エネルギー=148kcal/mol)、KrFエキシマレーザー光(波長=248nm、光子エネルギー=115kcal/mol)、XeClエキシマレーザー光(波長=308nm、光子エネルギー=93kcal/mol)等のエキシマレーザー光16により、ヒューズ素子13の材料の化学結合を非熱的に切断し、ヒューズ素子13を切断する。

請求項（抜粋）：

ヒューズ素子を切断して配線の接続を変更する半導体装置の製造方法において、前記ヒューズ素子の材料の結合エネルギーよりも大きな結合エネルギーを有する材料で下地層を形成する工程と、前記下地層の上に前記ヒューズ素子を形成する工程と、前記ヒューズ素子の材料の結合エネルギーよりも大きく且つ前記下地層の材料の結合エネルギーよりも小さな光子エネルギーを有するレーザー光を前記ヒューズ素子に照射して前記ヒューズ素子を切断する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/82 , B23K 26/00 , B23K 26/00 320 , H01L 27/10 491

FI (5件)：

H01L 21/82 R , B23K 26/00 H , B23K 26/00 320 A , H01L 27/10 491 , H01L 21/82 F

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