特許
J-GLOBAL ID：200903057493951219
半導体記憶装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-124029
公開番号（公開出願番号）：特開平8-321177
出願日： 1995年05月23日
公開日（公表日）： 1996年12月03日
要約：
【要約】【目的】チップ面積を縮小し、かつ消費電流の増加を抑えることができる半導体記憶装置を提供することを目的とする。【構成】メモリセル3はNMOSトランジスタ21,22、及びトランスファゲート23,24により構成される。トランジスタゲート23,24のゲート端子にはスタンバイ時にスタンバイ電圧VSTが印加され、高抵抗25,26として動作する。ビット線対BL,バーBLには、プリチャージ回路11により高電位側電源Vccに接続される。NMOSトランジスタ21,22と高抵抗25,26との分圧抵抗によって決定される電位によってデータが保持される。
請求項（抜粋）：
ビット線対に接続されメモリセルを構成するトランスファゲートをスタンバイの時に負荷抵抗として動作させるようにした半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 11/412
, H01L 27/10 371
G11C 11/40 301
, H01L 27/10 371
