特許
J-GLOBAL ID：200903057494359372
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-042632
公開番号（公開出願番号）：特開2004-253627
出願日： 2003年02月20日
公開日（公表日）： 2004年09月09日
要約：
【課題】従来よりも大きな自発分極値を有する強誘電体膜をMOCVD法で形成することができる半導体装置とその製造方法を提供すること。【解決手段】シリコン(半導体)基板1の上方に下地絶縁膜10bを形成する工程と、下地絶縁膜10b上にイリジウム層15を形成する工程と、イリジウム層15の表層を酸化する工程と、前記酸化されたイリジウム層15上にMOCVD法により強誘電体膜16を形成する工程と、強誘電体膜16上に上部電極用導電層17を形成する工程と、イリジウム層15、強誘電体膜16、及び上部電極用導電層17をパターニングすることにより、イリジウム層15を下部電極15aとし、強誘電体膜16をキャパシタ強誘電体膜16aとし、上部電極用導電層17を上部電極17aとする工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法による。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
半導体基板と、
前記半導体基板の上方に形成された絶縁膜と、
下部電極、強誘電体膜、及び上部電極を前記絶縁膜上に順に形成してなる強誘電体キャパシタと、
を有し、
前記下部電極は、表層部分がアモルファス化したイリジウム層を最上層に有することを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (14件)：
5F083FR02
, 5F083JA15
, 5F083JA35
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA43
, 5F083JA55
, 5F083MA06
, 5F083MA17
, 5F083NA01
, 5F083NA08
, 5F083PR33
, 5F083PR39
, 5F083PR40
