特許
J-GLOBAL ID:200903057498634467
低屈折率膜、低反射膜、及び低反射帯電防止膜
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
泉名 謙治
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-098910
公開番号(公開出願番号):特開平5-270864
出願日: 1992年03月25日
公開日(公表日): 1993年10月19日
要約:
【要約】【構成】SiアルコキサイドとZr(C5 H7 O2 )n (OR)m を含む塗布液を塗布後、加熱かつ/又は紫外線照射により低屈折率膜を形成する。ガラス基体上に、SnO2 :Sb等の導電性微粒子を含みTiO2 等からなる導電性高屈折率層を形成した後、上記方法で低屈折率膜を形成して、2層からなる低反射帯電防止膜を製造する。【効果】耐擦傷性に優れた低反射帯電防止膜を提供できる。
請求項(抜粋):
Si化合物とZr(C5 H7 O2 )n (OR)m (但しn+m=4,n=1〜3,m=1〜3,R:C1 〜C4 のアルキル基)を含む塗布液を基体上に塗布した後、加熱かつ/又は紫外線照射により形成された低屈折率膜。
IPC (4件):
C03C 17/25
, G02B 1/10
, H01J 29/28
, G02B 5/28
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