特許

J-GLOBAL ID：200903057502308952

半導体装置及びその製造方法

発明者： 吉岡 心平 ,  斉藤 康人
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  東芝エー・ブイ・イー株式会社
代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-324424
公開番号（公開出願番号）：特開平11-163045
出願日： 1997年11月26日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置及びその製造方法に関するもので、特にパワーエレクトロニクス分野で制御用に使用されるスィツチング素子のサイリスタやパワートランジスタ等の実装構造での熱による障害を防止する。【解決手段】 半導体能動領域の一方の表面に外部露出面を有する正極電極2と制御電極6とを形成し、他方の表面に外部露出面を有する負極電極9を形成した半導体スイッチング素子1、11の正極電極2と制御電極6を配線基板3の所定位置にはんだ層5を介して接合する。

請求項（抜粋）：

半導体能動領域の一方の表面に外部露出面を有する正極電極と制御電極とが形成され、かつ、前記半導体能動素子の他方の表面に外部露出面を有する負極電極が形成された半導体スイッチング素子と、この半導体スイッチング素子の前記正極電極と前記制御電極を所定位置で各々はんだ接合した配線基板とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/52 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/52 A ,  H01L 29/78 652 Q