特許

J-GLOBAL ID：200903057502995151

成膜方法及び成膜装置

発明者： 渡辺 佳一 ,  堅田 富夫
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-074125
公開番号（公開出願番号）：特開2004-277864
出願日： 2003年03月18日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：

【課題】膜厚の均一性及び膜の厚みに対するプロセス制御性向上を維持しながら、膜を成膜する時間を短縮化できる成膜方法及びその成膜装置を実現する。【解決手段】W膜の成膜プロセスは、まず、処理チャンバ10内にパージガスArを導入し、次に、第1のプロセスガスSiH4導入する。この第1のプロセスガスSiH4の導入終了後に、パージガスArを導入し、同時にプラズマを発生させる。続いて、パージガスArを導入し、次に、第2のプロセスガスWF6導入する。この第2のプロセスガスWF6の導入終了後に、パージガスArを期間T6導入し、同時にプラズマを発生させる。プラズマ発生より、未反応の吸着ガスの脱離を促進させて、パージガスの導入時間及び排気時間の短縮を図る。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板を配置した処理チャンバ内に第1のプロセスガスを導入する工程と、 この第1のプロセスガスの導入終了後に、前記処理チャンバ内にパージガスを導入すると同時に前記処理チャンバ内にプラズマを発生させる工程と、 このパージガス導入終了後に、前記処理チャンバ内に第2のプロセスガスを導入する工程と、 この第2のプロセスガスの導入終了後に、前記処理チャンバ内にパージガスを導入すると同時に前記処理チャンバ内に、再度、プラズマを発生させる工程と、 を備え、これらの一連の工程を繰り返して、膜を成膜することを特徴とする成膜方法。

IPC (3件)：

C23C16/455 ,  C23C16/505 ,  H01L21/285

FI (3件)：

C23C16/455 ,  C23C16/505 ,  H01L21/285 C

Fターム (19件)：

4K030AA03 ,  4K030AA04 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA20 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030EA03 ,  4K030EA08 ,  4K030FA01 ,  4K030LA15 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB36 ,  4M104DD43 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45