半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：清水守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-008418
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209154
出願日： 1997年01月21日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】ポリイミド表面の耐電圧劣化が無く、信頼性の高い実装が可能となるバンプを備えた半導体装置を提供する。【解決手段】入出力端子にハンダバンプ7を備えた半導体装置において、チップに形成される素子保護用ポリイミド樹脂膜4と、このポリイミド樹脂膜4上に入出力端子周辺を除く全面に被覆される金属膜5を設ける。

請求項（抜粋）：

(a)チップに形成される素子保護用ポリイミド樹脂膜と、(b)該ポリイミド樹脂膜上に入出力端子周辺を除く全面に被覆される金属膜を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/321

FI (3件)：

H01L 21/88 T , H01L 21/92 602 L , H01L 21/92 602 Z

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