特許
J-GLOBAL ID：200903057504624037
電界効果型薄膜トランジスタ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-091311
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299657
出願日： 1992年04月13日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：
【要約】【目的】薄膜トランジスタ素子の電界効果移動度を高め且つアモルファスシリコン膜の成膜時間を短縮して高スループット化を実現する。【構成】ゲート絶縁膜13の上に高移動度のアモルファスシリコン膜14a及び低移動度のアモルファスシリコン膜14bの2層構造のアモルファスシリコン膜を形成することにより、成膜時間を短縮し、かつMIS界面の特性が優れた高電界効果移動度の薄膜トランジスタを実現できる。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上に設けたゲート電極と、前記ゲート電極を含む表面に設けたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上に設けた島状のアモルファスシリコン膜と、前記アモルファスシリコン膜の上に設けたドーピング層を介してオーミック接触されたソース電極及びドレイン電極を有する電界効果型薄膜トランジスタ素子において、前記アモルファスシリコン膜が前記ゲート絶縁膜と接する下層に設けた高電界効果移動度を有する第1のアモルファスシリコン膜と、前記第1のアモルファスシリコン膜よりも低い電界効果移動度を有する第2のアモルファスシリコン膜との2層構造を有することを特徴とする電界効果型薄膜トランジスタ素子。
引用特許：
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