特許

J-GLOBAL ID：200903057509773871

半導体装置の製造方法

発明者： 中 村 謙 二
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 望稔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-046501
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259468
出願日： 1991年03月12日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：

【要約】【目的】 フローティングゲートの中間酸化膜に局所的に薄い部分がないようにし、中間酸化膜の絶縁耐圧を向上させ、EPROM,EEPROMなどの書き込み特性、保持特性、信頼性が向上することを目的とする。【構成】 フローティングゲート形成工程において、多結晶シリコン層を堆積し、この多結晶シリコン層を平滑化し、中間酸化膜を成膜し、中間酸化膜の上にコントロールゲートとしての多結晶シリコン層を堆積し、全面に二酸化珪素層を堆積することを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。

請求項（抜粋）：

フローティングゲート形成工程において、ゲート酸化膜の上にフローティングゲートとしての多結晶シリコン層を堆積し、この多結晶シリコン層を平滑化し、中間酸化膜を成膜し、中間酸化膜の上にコントロールゲートとしての多結晶シリコン層を堆積し、全面に二酸化珪素層を堆積することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/302

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-031467
  
• 特開平2-237076
  
• 特開平1-226158
  
• 特開昭61-040929