特許

J-GLOBAL ID：200903057513204687

半導体装置の製造方法及び半導体装置用リードフレーム

発明者： 青木 広志
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-301460
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110883
出願日： 2000年09月29日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、半導体装置をリードフレームに繋がった状態で試験を行うことのできる半導体装置の製造方法及びそのような半導体装置の製造方法に使用するリードフレームを提供することを課題とする。【解決手段】 半導体素子2の端子となるリード8が形成されたリードフレーム4上で半導体素子を封止樹脂により封止してパッケージを形成する。リード8を切断し、パッケージから延出したランナ部がリードフレーム枠6に接続されている状態において、リード8を介して前記半導体装置との電気的導通を得て半導体装置2の試験を行う。

請求項（抜粋）：

半導体素子を封止樹脂により封止して形成される半導体装置の製造方法であって、半導体素子の端子となるリードが形成されたリードフレーム上で半導体素子を封止樹脂により封止してパッケージを形成し、前記リードフレームと前記パッケージとの間に延在する部位において前記リードを切断し、前記パッケージから延出したランナ部が前記リードフレームに接続されている状態において、前記リードを介して前記半導体装置との電気的導通を得て前記半導体装置の試験を行う各工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 23/50 ,  H01L 21/56

FI (4件)：

H01L 23/50 G ,  H01L 23/50 K ,  H01L 21/56 T ,  H01L 21/56 H

Fターム (9件)：

5F061AA01 ,  5F061BA01 ,  5F061CA21 ,  5F061DD12 ,  5F061EA11 ,  5F067AA19 ,  5F067BA03 ,  5F067BA06 ,  5F067DE19