特許
J-GLOBAL ID：200903057517256126
酸化物超電導薄膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
志賀 正武
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-342880
公開番号（公開出願番号）：特開平6-191995
出願日： 1992年12月22日
公開日（公表日）： 1994年07月12日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、高品質な酸化物超電導薄膜を製造することができる方法の提供することを目的とする。【構成】 本発明は、成膜装置内の基材上に堆積膜を形成して多元素系の酸化物超電導薄膜を製造する方法において、堆積膜の堆積中に堆積膜表面に所定の入射角度で電子線を入射して堆積膜表面部の原子を励起し、堆積膜表面部の原子から発生された特性X線の強度の膜厚依存性を求め、堆積膜表面部の原子から発生された特性X線の強度の取り出し角依存性を求めて堆積膜の接合面および堆積膜の表面原子層の成分と平坦性を確認し、この確認結果に基づいて前記堆積膜の成膜条件を調整しながら堆積膜を形成するものである。【効果】 本発明は平滑性とカバレージの良好な堆積膜を得ることができ、これにより高品質の酸化物超電導薄膜を製造できる効果がある。
請求項（抜粋）：
成膜装置内に設置された基材に対し、複数の元素を堆積させて堆積膜を形成し、この堆積膜から多元素系の酸化物超電導薄膜を製造する方法において、前記堆積膜の堆積中に基材上の堆積膜表面に所定の入射角度で電子線を入射して堆積膜表面部の原子を励起し、堆積膜表面部から発生された特性X線の強度の膜厚依存性を求めるとともに、前記堆積膜表面部の原子から発生された特性X線の強度の取り出し角依存性を求めることにより、堆積膜の接合面および堆積膜の表面原子層の成分と平坦性を確認し、この確認結果に基づいて前記堆積膜の成膜条件を調整しながら堆積膜を形成することを特徴とする酸化物超電導薄膜の製造方法。
IPC (4件)：
C30B 29/22 501
, H01B 13/00 565
, H01L 39/24 ZAA
, H01B 12/06 ZAA
