特許
J-GLOBAL ID：200903057520511285
不純物汚染評価用半導体基板の製法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田中 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-077798
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263511
出願日： 1994年03月25日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】【目的】 半導体基板の主面上に汚染の評価されるべき不純物を付着している不純物汚染評価用半導体基板を、半導体装置の製造に用いるまたは用いられている半導体基板の主面が汚染の評価されるべき不純物によってどの程度の面密度で汚染されているのかの評価を正確に行うことができるものとして、容易に製造することができるようにする。【構成】 清浄化されている主面を有する半導体基板を用意する工程と、その半導体基板の清浄化されている主面上に、汚染の評価されるべき不純物を、蒸着法またはスパッタリング法もしくは化学気相堆積法によって付着させる工程とを有する。
請求項（抜粋）：
清浄化されている主面を有する半導体基板を用意する工程と、上記半導体基板の清浄化されている主面上に、汚染の評価されるべき不純物を、蒸着法またはスパッタリング法もしくは化学気相堆積法によって付着させる工程とを有することを特徴とする不純物汚染評価用半導体基板の製法。
IPC (3件)：
H01L 21/66
, H01L 21/02
, H01L 21/203
