半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-243724
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077426
出願日： 1998年08月28日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：

【要約】【課題】電界効果トランジスタやpn接合半導体装置において、不純物拡散の深さを精度よくコントロールする。【解決手段】半導体基板1上に接合層2とキャップ層3を堆積し、この上にマスク用絶縁層4を形成してこの後絶縁層4に開口部7を形成する。その後、絶縁層4をマスクとして不純物を拡散し、キャップ層3まで除去したのちその上に電極を形成する。【効果】接合層に不純物を拡散する際、キャップ層を介して行うため、接合層に形成される不純物領域の深さは精度よく制御されるので、例えばHEMTに適用するとVthのばらつきが少なくなる。

請求項（抜粋）：

半導体装置の製造方法に於いて、半導体基板上に第1の半導体層を形成する工程と、前記第1の半導体層上に第2の半導体層を形成する工程と、前記第2の半導体層上にキャップ層を形成する工程と、前記キャップ層上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層に開口を形成する工程と、前記キャップ層と前記第2の半導体層に前記開口から前記絶縁層をマスクとして不純物を拡散する工程と、前記開口から露出する前記キャップ層を除去する工程と、前記開口された領域に電極膜を形成する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/337 , H01L 29/808 , H01L 21/22 , H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812

FI (3件)：

H01L 29/80 C , H01L 21/22 C , H01L 29/80 H

Fターム (17件)：

5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ05 , 5F102GK06 , 5F102GL04 , 5F102GL08 , 5F102GM06 , 5F102GN05 , 5F102GQ04 , 5F102GR04 , 5F102GS02 , 5F102GT03 , 5F102GV08 , 5F102HC01 , 5F102HC05 , 5F102HC17

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