特許
J-GLOBAL ID：200903057525154383
サーミスタ素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小島 清路
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-390952
公開番号（公開出願番号）：特開2002-190402
出願日： 2000年12月22日
公開日（公表日）： 2002年07月05日
要約：
【要約】【課題】 焼成時の剥離の発生が抑えられるサーミスタ素子及びその製造方法を提供する。更には、高温での安定性に優れたサーミスタ素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明のサーミスタ素子は、セラミック導電層3と、セラミック導電層3の一面と他面とにそれぞれ形成された第1電極層2及び第2電極層4からなる少なくとも一対の電極とを備えるサーミスタ素子であって、電極層がセラミック導電材料を含有する。更に、第1電極層2が94〜98質量%の貴金属と、2〜6質量%のセラミック導電材料とを含有し、且つ第2電極層4が90〜98質量%の貴金属と、2〜10質量%のセラミック導電材料とを含有することで、より安定な電気抵抗特性が保たれる。
請求項（抜粋）：
セラミック導電層と、該セラミック導電層の一面と他面とにそれぞれ形成された電極層からなる少なくとも一対の電極とを備えるサーミスタ素子であって、上記電極層がセラミック導電材料を含有することを特徴とするサーミスタ素子。
Fターム (5件)：
5E034BB05
, 5E034BC01
, 5E034DA02
, 5E034DC03
, 5E034DC05
