特許
J-GLOBAL ID：200903057525697395
洗浄方法及び洗浄装置
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
小原 肇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-340634
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161673
出願日： 1993年12月08日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウエハを洗浄する際に、半導体ウエハへの外気からのパーティクルの付着を防止すると共に半導体ウエハの損傷を防止することができる洗浄方法及び洗浄装置を提供する。【構成】 本洗浄方法は、半導体ウエハ2を超純水3の中で浮揚させ、この超純水3に所定方向への液流を付与して半導体ウエハ2をその液流の下流側にある第1洗浄機構5Aへ搬送し、この第1洗浄機構5Aでは半導体ウエハ2を超純水3から隔離して密閉した後、密閉した第1洗浄機構5Aの超純水3を第1薬液で置換後、この第1薬液で半導体ウエハ2を洗浄し、その後第1洗浄機構5Aの密閉を解除した後次の第1洗浄機構5B、5Cへ半導体ウエハ2を順次液体搬送し、同様の洗浄手順を繰り返すようにした。
請求項（抜粋）：
被処理体を液体の中で浮揚させ、この液体に所定方向への液流を付与して被処理体をその液流の下流側にある洗浄部へ搬送し、この洗浄部では上記被処理体を上記液体から隔離して密閉した後、この洗浄部内の上記液体を洗浄処理液で置換した後、この洗浄処理液を連続的に供給しながら被処理体を洗浄し、その後上記洗浄部の密閉を解除した後必要に応じて次の洗浄部へ被処理体を同様に液中搬送し、同様の手順により洗浄を繰り返すことを特徴とする洗浄方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/304
, B08B 3/04
