特許

J-GLOBAL ID：200903057526199054

半導体基板の洗浄方法

発明者： 堀江 靖彦
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 児玉 俊英 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-008545
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217155
出願日： 2001年01月17日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：

【要約】【課題】 シリコンウエハ表面にシリコン酸化膜またはその膜上にポリシリコン膜を形成する場合、ウエハ上や膜上の有機物を除去するのに、より効率的、効果的でかつ低コストの洗浄方法を得る。【解決手段】 チャンバ内を1.3×10-7Pa以下の真空中で洗浄するステップと、窒素ガスまたは他の希ガス雰囲気中で300〜500°Cに加熱洗浄のステップと、窒素または他の希ガスの雰囲気中でUV光を照射するステップの洗浄方法でもって基板を洗浄する。

請求項（抜粋）：

次のステップを有することを特徴とする半導体基板の洗浄方法。(1)1.3×10-7Pa以下の真空中で基板を洗浄するステップ。(2)窒素または他の希ガスの雰囲気中で300〜500°Cに加熱して基板を洗浄するステップ。(3)窒素または他の希ガスの雰囲気中で、UV光を照射して基板を洗浄するステップ。

IPC (4件)：

H01L 21/304 645 ,  H01L 21/304 ,  B08B 5/00 ,  B08B 7/00

FI (4件)：

H01L 21/304 645 A ,  H01L 21/304 645 D ,  B08B 5/00 Z ,  B08B 7/00

Fターム (5件)：

3B116AA03 ,  3B116AB33 ,  3B116BC01 ,  3B116CA03 ,  3B116CD11