特許

J-GLOBAL ID：200903057531448593

半導体装置及びその製造方法

発明者： 佐藤 信彦 ,  米原 隆夫
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-041941
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218316
出願日： 1992年01月31日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】 バイポーラトランジスタと電界効果トランジスタ等の半導体装置を光透過性絶縁物基板上に形成した高速動作可能な半導体装置を、低コストで実現する。【構成】 多孔質シリコン基板43上に非多孔質単結晶シリコン層42を有する基板を形成する工程(図2(a),(b))と、前記多孔質シリコン基板43を酸化して、少なくとも可視光領域において透光性の、光透過性絶縁物基板1とする工程(図2(c))と、前記非多孔質単結晶シリコン層42を活性層として素子を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法及びその半導体装置。

請求項（抜粋）：

多孔質半導体層上に非多孔質半導体単結晶層を有する基板の該多孔質半導体層を酸化して、少なくとも可視光領域において光透過性絶縁物とした基板と、該光透過性絶縁物基板上の前記非多孔質半導体単結晶層を活性領域としたバイポーラトランジスタ及び絶縁ゲート型電界効果トランジスタを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 27/06 ,  H01L 27/12