特許

J-GLOBAL ID：200903057535807644

アルミ電極へのバンプ形成方法及び半導体チップの実装構造

発明者： 向 秀樹
出願人/特許権者： 株式会社ピーエフユー
代理人 (1件)： 西 孝雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-351622
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201868
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】 半導体チップのアルミ電極をプリント板の配線パターンに接続する技術に関し、アルミ電極に高品質のバンプを簡単にかつ低コストで形成することができ、かつファインピッチ化にも対応できる技術手段を得る。【構成】 半導体チップ1のアルミ電極2の上に、まず金箔層5を接合し、この金箔層の上に金またはハンダのバンプ6を形成する。例えば、従来のワイヤボンディング装置のキャピラリを中空孔のない棒状のものに変更し、アルミ電極2の上に圧延等によって得られた金の箔ないし薄板を重ね、その上から棒状のキャピラリ25を、必要により超音波で振動させながら、加熱環境下で押圧して、当該金箔をアルミ電極2に接合して金箔層5を形成する。そしてこの金箔層5の上にメッキやディップ等により、金またはハンダのバンプ6を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体チップ(1) のアルミ電極(2) の上に金箔(21)を重ね、棒状のキャピラリ(25)を加熱環境下で押圧して当該金箔を接合して金箔層(5) を形成し、この金箔層の上に金またはハンダのバンプ(6) を形成することを特徴とする、半導体チップのアルミ電極へのバンプ形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311

FI (2件)：

H01L 21/92 F ,  H01L 21/92 D