特許
J-GLOBAL ID:200903057540188774

水晶基板のエッチング方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-097791
公開番号(公開出願番号):特開平10-290135
出願日: 1997年04月15日
公開日(公表日): 1998年10月27日
要約:
【要約】【課題】 水晶基板を弗酸、弗化アンモニウム等でエッチングすると、断面が垂直とならず突起が生じる。音叉振動子などをこの手法で加工すると突起のため音叉断面が対称とならず、特性の劣化を引き起こしてしまう。【解決手段】 水晶基板1を溶解するエッチング液に対して耐腐蝕性を有する下層保護膜5と、水晶基板1を溶解するガスのイオンプラズマに対して耐腐蝕性を有する上層保護膜6を形成し、2層の保護膜を所望の形状にパターニングし、上層保護膜6をマスクとしてエッチング液により、水晶基板1をエッチングする工程と、エッチングを行った断面に生じる突起部分を水晶基板1を溶解するガスのイオンプラズマにより、下層保護膜5をマスクとしてエッチングし、断面を垂直にする工程により、水晶基板を加工する。
請求項(抜粋):
水晶基板をエッチングして、所望の形を形成する工程が、水晶基板上に該水晶基板を溶解するエッチング液に対して耐腐蝕性を有する保護膜を形成し、該保護膜を所望の形状にパターニングし、該保護膜をマスクとして該エッチング液により水晶基板をエッチングする工程と、前記水晶基板のエッチングを行った断面に生じる突起以外の部分、またはエッチングをこれ以上行わない部分を、水晶基板を溶解するガスのイオンプラズマに対して耐腐蝕性を有する膜で保護し、該水晶基板のエッチングを行った断面に生じる突起をエッチングし、断面を垂直にする工程、からなることを特徴とする水晶基板のエッチング方法。
IPC (2件):
H03H 3/02 ,  C23F 1/00
FI (2件):
H03H 3/02 D ,  C23F 1/00

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