特許
J-GLOBAL ID：200903057541369365

受光素子を内蔵する半導体装置

発明者：
岩井 誉貴

岩井 誉貴 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-351265
公開番号（公開出願番号）：特開2003-152217
出願日： 2001年11月16日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
要約：
【要約】【課題】 広い波長域に対して高い受光感度を有する受光素子と高速の電子回路素子とを同一の半導体基板上に混載した半導体装置を提供する。【解決手段】 SOI基板上に形成されたpinフォトダイオード3を内蔵するOEICにおいて、屈折率の異なる膜10〜13を交互に積層して、入射光の第1の波長に対して反射率を向上させた第1の多層反射膜8と、入射光の第2の波長に対して反射率を向上させた第2の多層反射膜9とを積層し、再度pinフォトダイオード3に広い波長域の光を入射させることにより、受光感度を向上させる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に素子層が形成され、前記素子層に受光素子及び電子回路素子が互いに絶縁分離されて形成され、前記半導体基板と素子層との界面に第1及び第2の多層反射膜が積層形成され、前記第1及び第2の多層反射膜は、屈折率の異なる複数の反射膜が交互に積層形成され、前記受光素子から入射した波長の異なる入射光を反射して再度受光素子に入射させるように構成されていることを特徴とする受光素子を内蔵する半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 31/10 ,  G02B 5/08 ,  H01L 27/14
FI (4件)：
G02B 5/08 A ,  H01L 31/10 A ,  H01L 27/14 Z ,  H01L 31/10 G
Fターム (34件)：
2H042DA01 ,  2H042DA08 ,  2H042DA10 ,  2H042DE00 ,  4M118AA01 ,  4M118AA08 ,  4M118AB05 ,  4M118AB10 ,  4M118BA02 ,  4M118CA03 ,  4M118CA05 ,  4M118CA09 ,  4M118CA34 ,  4M118FC09 ,  4M118FC16 ,  4M118FC18 ,  4M118FC20 ,  4M118GA10 ,  4M118GD15 ,  5F049MA04 ,  5F049MB03 ,  5F049NA03 ,  5F049NA10 ,  5F049NB08 ,  5F049PA03 ,  5F049PA20 ,  5F049QA03 ,  5F049RA08 ,  5F049SS03 ,  5F049SZ16 ,  5F049UA07 ,  5F049UA13 ,  5F049UA14 ,  5F049WA03
引用特許：
審査官引用 (6件)
  • 光・電子集積回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-131781   出願人：株式会社島津製作所
  • 光センサ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-181426   出願人：ミノルタ株式会社
  • 誘電体分離基板を用いた光半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-268225   出願人：松下電子工業株式会社
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