特許

J-GLOBAL ID：200903057544697630

薄膜トランジスタとその製法

発明者： 金子 寿輝 ,  鬼沢 賢一 ,  峯村 哲郎
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-332703
公開番号（公開出願番号）：特開平6-181313
出願日： 1992年12月14日
公開日（公表日）： 1994年06月28日
要約：

【要約】【構成】絶縁基板1上にゲート電極7、ゲート絶縁層6、ソース2、ドレイン電極2’を有する薄膜トランジスタであって、前記絶縁基板面上に活性層を有し、該層が絶縁基板と接する面では結晶相とアモルファス相とが混在しており、それと対向する上面は結晶相のみからなることを特徴とする薄膜トランジスタ。【効果】活性層が薄い膜厚で形成できるので、チャネル領域の膜厚の薄TFTが得ることができ、該TFTの電界効果移動度を大幅に向上でき、オン電流の増加とオフ電流の低減を図ることができる。また、上記活性層と絶縁基板との密着性が優れているので、大面積基板においても活性層の剥離がなく、安定な膜のTFTを形成できる。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上にゲート電極、ゲート絶縁層、ソース、ドレイン電極を有する薄膜トランジスタであって、前記絶縁基板面上に活性層を有し、該層が絶縁基板と接する面では結晶相とアモルファス相とが混在しており、これと対向する上面は結晶相のみからなることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 311 H ,  H01L 29/78 311 Y