特許
J-GLOBAL ID：200903057548513585

光半導体素子の製造方法

発明者：
植竹 理人

植竹 理人 について

, 
竹内 辰也

竹内 辰也 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について

, 
ユーディナデバイス株式会社

ユーディナデバイス株式会社 について


代理人 (1件)： 真田 有
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-063444
公開番号（公開出願番号）：特開2008-227154
出願日： 2007年03月13日
公開日（公表日）： 2008年09月25日
要約：
【課題】段差領域における被り成長を抑制しながら、段差領域から一定の距離以上離れた領域でも十分な厚さを有する平坦性の良い埋込層が形成されるようにして、その後のプロセスを容易にし、歩留まりを良くすることができるようにする。【解決手段】III-V族化合物半導体結晶の(100)面上に存在する段差領域M1を、酸素を供給しながらIII族元素としてIn又はGaを含む半導体結晶を成長させて埋込層14を形成する埋込工程を含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
III-V族化合物半導体結晶の(100)面上に存在する段差領域を、酸素を供給しながらIII族元素としてIn又はGaを含む半導体結晶を成長させて埋込層を形成する埋込工程を含むことを特徴とする光半導体素子の製造方法。
IPC (7件)：
H01S 5/227 ,  H01S 5/343 ,  H01S 5/50 ,  H01S 5/026 ,  G02F 1/017 ,  G02B 6/13 ,  H01L 21/205
FI (7件)：
H01S5/227 ,  H01S5/343 ,  H01S5/50 610 ,  H01S5/026 616 ,  G02F1/017 503 ,  G02B6/12 M ,  H01L21/205
Fターム (52件)：
2H079AA02 ,  2H079AA13 ,  2H079BA01 ,  2H079CA04 ,  2H079DA16 ,  2H079DA22 ,  2H079EA03 ,  2H079EB04 ,  2H079HA04 ,  2H079JA07 ,  2H079KA18 ,  2H147AB02 ,  2H147AB03 ,  2H147AB04 ,  2H147BA06 ,  2H147BA15 ,  2H147BG19 ,  2H147EA12A ,  2H147EA12B ,  2H147EA12C ,  2H147EA42A ,  2H147EA42B ,  2H147FA04 ,  2H147FC02 ,  2H147FF01 ,  5F045AA04 ,  5F045AB12 ,  5F045AC08 ,  5F045AC11 ,  5F045AD10 ,  5F045AE23 ,  5F045AF04 ,  5F045AF12 ,  5F045AF17 ,  5F045CA12 ,  5F173AA26 ,  5F173AA43 ,  5F173AA47 ,  5F173AD13 ,  5F173AD14 ,  5F173AF92 ,  5F173AF94 ,  5F173AH14 ,  5F173AJ23 ,  5F173AP06 ,  5F173AP17 ,  5F173AP76 ,  5F173AP79 ,  5F173AQ13 ,  5F173AQ15 ,  5F173AQ16 ,  5F173AR93
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 半導体素子の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-032753   出願人：ユーディナデバイス株式会社
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM