特許
J-GLOBAL ID:200903057550001427

三次元回路装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 富村 潔
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-518769
公開番号(公開出願番号):特表平9-507612
出願日: 1995年01月12日
公開日(公表日): 1997年07月29日
要約:
【要約】三次元回路装置を製造するために第1の基板(1)が薄層化され、、第2の基板(2)上に積み重ねられ、この第2の基板と接続される。その際第1の基板(1)及び第2の基板(2)はそれぞれ回路パターン(12、22)及び金属化面(13、23)を含んでいる。第1の基板(1)又は第2の基板(2)内に金属化面(13、23)上に達する少なくとも1つの第1の接触孔(16)及び第2の接触孔(4)が開けられ、その際この第2の接触孔(4)は第1の基板(1)を横断する。導電層(7)を介して両基板(1、2)の金属化面(13、23)が互いに電気的に接続される。
請求項(抜粋):
第1の主面(11)の領域内に少なくとも1個の第1の回路パターン(12)、第1の金属化面(13)及びこの第1の金属化面(13)を覆っている第1のパッシベーンョン層(14)を含んでいる第1の基板(1)が、第1の主面(11)上に施されている第1の接着層(17)を介して補助基板(18)と接続され、 第1の基板(1)が第1の主面(11)に対向している第2の主面で薄層化され、 第3の主面(21)の領域内に少なくとも第2の回路パターン(22)、第2の金属化面(23)及びこの第2の金属化面(23)を覆っている第2のパッシベーション層(24)を含んでいる第2の基板(2)が、、第3の主面(21)上に第2の接着層(26)を有しており、 第1の基板(1)の第2の主面が第2の基板(2)上の第2の接着層(24)と境を接しており、第1の基板(1)と第2の基板(2)とが第2の接着層(26)を介して固く結合されるように第1の基板(1)と第2の基板(2)とが接合されており、 第1の主面(11)から第1の金属化層(13)上に第1の接触孔(16)が開けられ、 補助基板(18)及び第1の接着層(17)の除去後第1の主面(11)から出発して少なくとも1つの第2の接触孔(4)が第2の金属化面(23)に達するまで開けられ、 第1の主面(11)上に第1の金属化面(13)と第2の金属化面(23)を電気的に互いに接続する導電層(7)が形成されることを特徴とする三次元回路装置の製造方法。
IPC (4件):
H01L 27/00 301 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/768 ,  H01L 27/12
FI (3件):
H01L 27/00 301 B ,  H01L 27/12 B ,  H01L 21/90 A
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 特開昭63-213943
  • 特開昭59-175139

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