特許

J-GLOBAL ID：200903057551296560

多結晶シリコン膜の形成方法

発明者： 村上 浩 ,  桐村 浩哉 ,  林 司
出願人/特許権者： 日新電機株式会社
代理人 (1件)： 谷川 昌夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-198718
公開番号（公開出願番号）：特開平6-041748
出願日： 1992年07月24日
公開日（公表日）： 1994年02月15日
要約：

【要約】【目的】 モノシランやジシランに比べて安全な原料物質を用いて、また、成膜すべき基体を加熱しないで多結晶シリコン膜を形成する方法を提供する。【構成】 原料物質としてテトラメチルシラン又は(及び)テトラエチルシランを用い、水素プラズマP中で成膜すべき基体10に原料物質G1を吸着させながら該基体に水素イオンを照射して該基体上に多結晶シリコン膜を形成する。

請求項（抜粋）：

原料物質としてテトラメチルシラン又は(及び)テトラエチルシランを用い、水素プラズマ中で成膜すべき基体に前記原料物質を吸着させながら該基体に水素イオンを照射して前記基体上に多結晶シリコン膜を形成することを特徴とする多結晶シリコン膜の形成方法。