特許

J-GLOBAL ID：200903057570669149

パッケージ型半導体装置

発明者： 加美 伸治 ,  蔵田 和彦 ,  堂前 巧 ,  杉本 宝
出願人/特許権者： 日本電気株式会社 ,  日本電気エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-071114
公開番号（公開出願番号）：特開2003-273278
出願日： 2002年03月14日
公開日（公表日）： 2003年09月26日
要約：

【要約】【課題】 高周波での電気的特性を損なうことなく、放熱特性が優れており、実装等のパッケージ設計が効率化され、製造コストが低いパッケージ型半導体装置を提供する。【解決手段】 変形可能の絶縁性フレキシブルフィルム1と、このフレキシブルフィルム1の両面に設けられ配線パターンを構成する2層の第1及び第2の導電体層2,3と、第1導電体層1上に搭載されたLSI4と、フレキシブルフィルムに設けられたホール9に形成され第1導電体層1に形成された配線パターンと第2導電体層2に形成された配線パターンとを接続する導電体と、スティフナー6と、ヒートスプレッダー7とが設けられている。第1及び第2導電体層2,3により形成された配線パターンの一部は特性インピーダンスを計算された高速信号用配線であり、この高速信号用配線の端部にマザーボード20への接続部が形成されている。

請求項（抜粋）：

絶縁性フィルムと、この絶縁性フィルムの両面に設けられ配線パターンを構成する第1及び第2の導電体層と、この第1導電体層上に搭載された集積回路と、前記第1導電体層に形成された配線パターンと他方の第2導電体層に形成された配線パターンとを接続する導電体と、を有し、前記第1及び第2導電体層に形成された配線パターンの一部は、特性インピーダンスを基に高周波特性を考慮して設計された高速用配線であり、前記絶縁性フィルムの前記集積回路側の一方の部分が搭載用基板上に搭載され、前記絶縁性フィルムの他方の部分の端部に他の基板との接続部が設けられていることを特徴とするパッケージ型半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 23/12 301 ,  H01L 23/50 ,  H01L 25/16 ,  H01L 31/02 ,  H01S 5/022

FI (5件)：

H01L 23/12 301 Z ,  H01L 23/50 Y ,  H01L 25/16 A ,  H01S 5/022 ,  H01L 31/02 B

Fターム (18件)：

5F067AA02 ,  5F067CC01 ,  5F067CC07 ,  5F073AB27 ,  5F073AB28 ,  5F073BA02 ,  5F073EA14 ,  5F073EA29 ,  5F073FA13 ,  5F088AA03 ,  5F088BA02 ,  5F088BA15 ,  5F088BA16 ,  5F088BB01 ,  5F088JA03 ,  5F088JA12 ,  5F088JA14 ,  5F088JA20