特許

J-GLOBAL ID：200903057573951457

キャパシタ

発明者： 印部 貴之
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (3件)： 吉田 茂明 ,  吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-253233
公開番号（公開出願番号）：特開2004-095754
出願日： 2002年08月30日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：

【課題】フォトマスクの追加や製造工程の追加を伴うことなく、容易に製造することが可能なキャパシタを得る。【解決手段】キャパシタは、第1電極として機能する複数のビアプラグ1a〜1cと、第2電極として機能する複数のビアプラグ2a〜2cとを備えている。ビアプラグ1a〜1cはX方向に沿って並んで形成されており、同様にビアプラグ2a〜2cもX方向に沿って並んで形成されている。キャパシタは、半導体装置の多層配線構造内に形成されており、ビアプラグ1a〜1cとビアプラグ2a〜2cとは、層間絶縁膜の一部を挟んで互いに対向している。ビアプラグ1a〜1cとビアプラグ2a〜2cとによって挟まれている部分の層間絶縁膜が、キャパシタ誘電体膜として機能する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体装置の多層配線構造内に形成されたキャパシタであって、 層間絶縁膜と、 前記層間絶縁膜内に形成され、前記キャパシタの第1電極として機能する、第1のビアプラグと、 前記層間絶縁膜内に形成され、前記層間絶縁膜の一部を挟んで前記第1のビアプラグに対向し、前記キャパシタの第2電極として機能する、第2のビアプラグと、 前記第1のビアプラグの上面及び底面のいずれか一方のみに接続された第1の配線と、 前記第2のビアプラグの上面及び底面のいずれか一方のみに接続された第2の配線と を備える、キャパシタ。

IPC (3件)：

H01L21/822 ,  H01L21/3205 ,  H01L27/04

FI (2件)：

H01L27/04 C ,  H01L21/88 S

Fターム (49件)：

5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033HH23 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ20 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ23 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK20 ,  5F033KK23 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033KK34 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR09 ,  5F033SS15 ,  5F033VV10 ,  5F038AC02 ,  5F038AC04 ,  5F038AC05 ,  5F038AC09 ,  5F038AC14 ,  5F038AC15 ,  5F038AC16 ,  5F038EZ11 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20