特許

J-GLOBAL ID：200903057579450581

移植性導電パターンを含む半導体パッケージ及びその製造方法

発明者： ヒュン-ス,ガン
出願人/特許権者： コスタット セミコンダクター カンパニー リミテッド
代理人 (1件)： 原 謙三 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-331153
公開番号（公開出願番号）：特開2002-057241
出願日： 2000年10月30日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
要約：

【要約】【課題】 工程を単純化し、かつ原資材のコストを下げて製造コストのダウンを図ることができ、半導体パッケージの電気的、機械的、熱的な性能を改善できる移植性導電パターンを含む半導体パッケージ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体パッケージ本体と、モールディング工程までに半導体パッケージの基板の役目を行なっていたテープフィルムから外されて半導体パッケージ本体に取り付けられる特徴をもった移植性導電パターンを含む半導体パッケージ及びその製造方法が開示されている。前記基板の役目を行なっていたテープフィルムはモールディング工程後に半導体パッケージ本体から取り外されて除去されるので、半導体パッケージ本体には基板が残らなくなる。

請求項（抜粋）：

内部に半導体チップを含み、リードフレームや基板を含まずに封合樹脂よりなる半導体パッケージ本体と、前記半導体パッケージ本体の表面に取り付けられて外部に露出され、前記半導体チップのボンドパッドと電気的に接続される移植性導電パターンとを具備することを特徴とする移植性導電パターンを含む半導体パッケージ。

IPC (2件)：

H01L 23/12 501 ,  H01L 23/12

FI (4件)：

H01L 23/12 501 T ,  H01L 23/12 501 B ,  H01L 23/12 501 W ,  H01L 23/12 W

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平3-094459