特許

J-GLOBAL ID：200903057595751907

ホットエレクトロン解析装置

発明者： 藤井 もゆる
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-000049
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251538
出願日： 1992年01月06日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：

【要約】【目的】任意の入力信号に対する瞬間的なホットエレクトロン発光を検出することの可能なホットエレクトロン解析装置を提供すること。【構成】高周波発振装置4と高感度テレビカメラ2とを同期させて制御するシステムコントローラー7を有しているホットエレクトロン解析装置。【効果】被解析半導体装置に対し、所望の入力信号を印加させた瞬間又は状態でのホットエレクトロン発光分布を解析することが可能である為、半導体装置のあらゆる動作状態に於る不良発生箇所を容易に特定することができる。

請求項（抜粋）：

被解析半導体装置の外観観察を行う光学顕微鏡と、光子を検出し光量の測定を行う高感度テレビカメラと、前記被解析半導体装置の位置を調整する試料ステージと、所望の定電圧高周波、パルス波を発生させる高周波発振装置と、前記定電圧、高周波、パルス波を被解析半導体装置に印加させる配線部と、画像情報の出力を行うCRTと、これら装置全体の制御を行うシステムコントローラーとを備えることを特徴とするホットエレクトロン解析装置。

IPC (2件)：

H01L 21/66 ,  G01R 31/302

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-074227
  
• 特開昭62-074227
  
• 特開昭61-274630