特許

J-GLOBAL ID：200903057597174354

結晶成長用基板及びそれを用いた発光装置

発明者： 磯上 峯男
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-299183
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135889
出願日： 1997年10月30日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：

【要約】【課題】 従来にない窒化ガリウムのエピタキシャル成長に好適な結晶成長用基板を及びそれを用いた発光装置を提供すること。【解決手段】 サファイア結晶を基板母材とし、その表面にAl,Si,Mg,Zn,Ti,Ga,Y,O,N,Cのうち1種以上のイオンを注入した後、熱処理を施すことにより、サファイア結晶表面に窒化ガリウムと整合性の良い結晶薄相を生成せしめることを特徴とする結晶成長用基板、及びこの結晶成長用基板上に、少なくとも窒化ガリウムを主成分とする単結晶層から成るレーザー素子を配設したことを特徴とする発光装置。

請求項（抜粋）：

サファイア単結晶体の表面に、少なくともAl,Si,Mg,Zn,Ti,Ga,Y,O,N,Cから選択される一種以上のイオンを注入した化合物層を形成し、該化合物層上に窒化ガリウムを主成分とする単結晶を気相成長させるように成した結晶成長用基板。

IPC (5件)：

H01S 3/18 ,  C30B 29/40 502 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (5件)：

H01S 3/18 ,  C30B 29/40 502 H ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01L 21/265 601 Q