特許

J-GLOBAL ID：200903057603559689

半導体薄膜の結晶化方法及びレーザ結晶化装置

発明者： 小島 明 ,  林 久雄
出願人/特許権者： ソニー株式会社 ,  エスティ・エルシーディ株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-355842
公開番号（公開出願番号）：特開2000-182956
出願日： 1998年12月15日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：

【要約】【課題】 結晶方位を制御可能な半導体薄膜のレーザ結晶化装置を提供する。【解決手段】レーザ結晶化装置は、基板0に形成された半導体薄膜4に磁場25を印加しながらレーザ光50を照射して、半導体薄膜4を一旦溶融し冷却過程で結晶化せしめる。レーザ結晶化装置は、処理対象となる基板0を載置するステージ31と、ステージ31を格納する容器30と、レーザ光50を発生するレーザ光源51と、レーザ光50をステージ31に載置された基板0に導く光学系と、ステージ31及び光学系の少なくとも一部を収納する容器30の全体に一定方向の磁場25を印加する磁場発生器とからなり、レーザ光50を照射して半導体薄膜4を一旦溶融し冷却過程で一定方向の磁場を作用させ半導体薄膜4に含まれる結晶粒の結晶方位を揃える。場合によっては、磁場に替えて一定方向の電場を作用させても良い。

請求項（抜粋）：

基板に形成された半導体薄膜に磁場を印加しながらレーザ光を照射して、該半導体薄膜を一旦溶融し冷却過程で結晶化せしめる半導体薄膜の結晶化方法であって、発光時間が100nsを超えるレーザ光のパルスを照射して冷却過程に所定の時間幅を持たせ、その間に一定方向の磁場を作用させて半導体薄膜に含まれる結晶粒の結晶方位を揃えることを特徴とする半導体薄膜の結晶化方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 F ,  H01L 21/268 G ,  H01L 29/78 627 G

Fターム (42件)：

5F052AA02 ,  5F052AA24 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052DB03 ,  5F052EA12 ,  5F052JA01 ,  5F110AA01 ,  5F110BB02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE23 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG17 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN16 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110PP03 ,  5F110PP23 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11