特許

J-GLOBAL ID：200903057603744133

誘電体薄膜の製造方法及びそれを用いた強誘電体記憶素子の製造方法

発明者： 荻本 泰史 ,  緒方 信人
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-141749
公開番号（公開出願番号）：特開平8-335580
出願日： 1995年06月08日
公開日（公表日）： 1996年12月17日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、MFIS-FET型の強誘電体記憶素子に用いて好適な誘電体薄膜の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 シリコン基板上に酸化シリコン薄膜を形成する工程と、その酸化シリコン薄膜上にSrTiO3薄膜を基板加熱してた状態でスパッタリング法により形成する工程と、そのSrTiO3薄膜形成工程の後に、SrTiO3形成時の基板加熱の温度以上かつ800°C以下で熱処理する工程とから成る誘電体薄膜の製造方法。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に酸化シリコン薄膜を形成する工程と、該酸化シリコン薄膜上にSrTiO3薄膜を基板加熱した状態でスパッタリング法により形成する工程と、該SrTiO3薄膜形成工程の後に、前記SrTiO3形成時の基板加熱の温度以上かつ800°C以下で熱処理する工程とから成る誘電体薄膜の製造方法。

IPC (9件)：

H01L 21/316 ,  C30B 23/06 ,  C30B 29/32 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 29/43 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (7件)：

H01L 21/316 Y ,  C30B 23/06 ,  C30B 29/32 A ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/285 301 R ,  H01L 29/62 G ,  H01L 29/78 371