特許

J-GLOBAL ID：200903057603772684

ハイブリッド光集積回路の製造方法

発明者： 麦野 明 ,  清水 健男
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 若林 広志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-153830
公開番号（公開出願番号）：特開平10-003015
出願日： 1996年06月14日
公開日（公表日）： 1998年01月06日
要約：

【要約】【課題】 基板1上に形成した光導波路用多層膜4から三次元導波路10を形成する場合に、短時間で効率よく加工でき、所望の断面形状が得られるようにする。【解決手段】 基板1上に、光導波路用多層膜4を形成した後、光導波路用多層膜4の、三次元導波路となる部分の隣接領域を、機械加工により、薄い残膜2aを残して除去する。この機械加工は、三次元導波路の両側面および端面に相当する線に沿って溝7を形成する工程と、その溝7の外側領域を平面研削する工程で行う。その後、残膜2aをウエットエッチングにより除去する。

請求項（抜粋）：

磁性体基板、誘電体基板または半導体基板などの基板上に、光導波路用多層膜を形成する工程、前記光導波路用多層膜の、三次元導波路となる部分の隣接領域を、機械加工により、薄い残膜を残して除去する工程、前記残膜をドライエッチング又はウエットエッチングにより除去する工程、を含むことを特徴とするハイブリッド光集積回路の製造方法。