特許
J-GLOBAL ID:200903057607180994

半導体装置およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-120155
公開番号(公開出願番号):特開2005-303176
出願日: 2004年04月15日
公開日(公表日): 2005年10月27日
要約:
【課題】フリップチップ接続された半導体チップは、チップ周縁部に形成されたバンプにかかる熱伸縮によるひずみ応力は中央部に形成されたバンプにかかる応力よりも大きいため、周縁部の接続信頼性が中央部の接続信頼性よりも劣る。そのため、バンプサイズがチップ内において、一律の場合、中央基点部から距離の大きい位置であるチップ周縁部に形成されたバンプの接続信頼性は中央付近に形成されたバンプ接続信頼性よりも劣り、半導体装置としての信頼性が確保されない。【解決手段】キャリア基板8の配線パターン6の一部と、半導体チップ1の表面とがフリップチップ接続された半導体装置であって、フリップチップ接続時のエリア上に形成された電極パッド上に形成されるバンプは、半導体チップ1の平面内において、中央部領域よりも周縁部領域の方がバンプサイズが大きい構造を有することを特徴としている。【選択図】図1
請求項(抜粋):
半導体チップの表面に外部と接続するための電極パッドが複数列の枠状に配列され、前記電極パッドの上にバンプが形成された半導体装置において、周縁部領域の枠状に配列された第1の電極パッド上の第1のバンプのサイズが中央部領域に配列された第2の電極パッド上の第2のバンプのサイズより大きいことを特徴とする半導体装置。
IPC (1件):
H01L21/60
FI (3件):
H01L21/92 602Q ,  H01L21/60 311Q ,  H01L21/92 604J
Fターム (3件):
5F044LL01 ,  5F044QQ02 ,  5F044QQ04
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 特開平01-238148号公報

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