特許

J-GLOBAL ID：200903057610694087

半導体装置の製造方法および製造装置

発明者： 紙谷 隆志
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-153881
公開番号（公開出願番号）：特開平10-008256
出願日： 1996年06月14日
公開日（公表日）： 1998年01月13日
要約：

【要約】【課題】 メンテナンス管理の簡略化が可能で、歩留まりよく量産的に半導体装置を製造できる製造方法、および製造装置の提供。【解決手段】 反応装置本体9内に導入したWF6 を含むガス成分中のWF6 を反応させ、Wを半導体基板11面上に気相成長させる工程と、前記反応装置本体9内の残ガス成分を排気路12に介挿・配設されたモータにより動翼部が回転排気する排気手段13で導出・排気する工程とを具備し、前記排気手段、たとえばドライポンプ13の少なくとも残ガス成分の導入部側を110°C以下に冷却しておくことを特徴とする半導体製造装置の製造方法である。

請求項（抜粋）：

反応装置内に導入したWF6 を含むガス成分中のWF6 を反応させWを半導体基板面上に気相成長させる工程と、前記反応装置本体内の残ガス成分を排気路に介挿・配設されたモータにより動翼部が回転排気する排気手段で導出・排気する工程とを具備し、前記排気手段の少なくとも残ガス成分の導入部側を 110°C以下に冷却しておくことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

C23C 16/44 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301

FI (3件)：

C23C 16/44 D ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 R