特許

J-GLOBAL ID：200903057617114396

半導体ウェーハのプロービングパッド構造

発明者： 川田 修二
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-343625
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189671
出願日： 1996年12月24日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】 簡単な構成で容易にパッド上の絶縁膜に起因する接触不良を防止できる半導体ウェーハのプロービングパッド構造を提供する。【解決手段】 下層配線6上の層間膜7にコンタクトホールが形成され、このコンタクトホールを介して前記下層配線に導通する上層パッド8が形成され、この上層パッドにプローブ針4を接触させてテストを行なう半導体ウェーハのプロービングパッド構造において、前記コンタクトホールは、複数の開口9からなり、これらの開口と各開口間に残る層間膜に対応して上層パッド表面に凹凸面が形成される。

請求項（抜粋）：

下層配線上の層間膜にコンタクトホールが形成され、このコンタクトホールを介して前記下層配線に導通する上層パッドが形成され、この上層パッドにプローブ針を接触させてテストを行なう半導体ウェーハのプロービングパッド構造において、前記コンタクトホールは、複数の開口からなり、これらの開口と各開口間に残る層間膜に対応して上層パッド表面に凹凸面が形成されたことを特徴とする半導体ウェーハのプロービングパッド構造。

IPC (2件)：

H01L 21/66 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/66 E ,  H01L 21/88 Z