特許

J-GLOBAL ID：200903057621101240

半導体多重歪量子井戸構造

発明者： 難波江 宏一 ,  仁道 正明
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-196339
公開番号（公開出願番号）：特開平5-041564
出願日： 1991年08月06日
公開日（公表日）： 1993年02月19日
要約：

【要約】【目的】 一定層厚あたりの量子井戸数が大きく、かつ結晶転位が少なく光学特性に優れた多重歪量子井戸構造を提供する。【構成】 InP基板1上に半導体量子井戸層4と該半導体量子井戸層よりもバンドギャップの大きい半導体バリア層5〜7を交互に積層した多重量子井戸構造において、多重量子井戸構造の1つの周期が、前記InP基板1と異なった格子定数a<SB>1 </SB>をもつ半導体層からなる量子井戸層4と、前記半導体基板と同じ格子定数a<SB>0 </SB>をもつ半導体層からなる第1のバリア層5と、格子定数a<SB>2 </SB>をもつ半導体層からなる第2のバリア層6と、格子定数a<SB>0 </SB>もつ半導体層からなる第3のバリア層7とを順次積層してなる多層膜であり、かつa<SB>1 </SB><a<SB>0 </SB>≦a<SB>2 </SB>またはa<SB>1</SB>>a<SB>0 </SB>≧a<SB>2 </SB>である。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された、半導体量子井戸層と該半導体量子井戸層よりもバンドギャップの大きい半導体バリア層を交互に積層した多重量子井戸構造に於いて、前記多重量子井戸構造の1つの周期が、前記半導体基板と異なった格子定数a<SB>1 </SB>をもつ半導体層からなる量子井戸層と、前記半導体基板と同じ格子定数a<SB>0 </SB>をもつ半導体からなる第1のバリア層と、格子定数a<SB>2 </SB>をもつ半導体層からなる第2のバリア層と、格子定数a<SB>0 </SB>をもつ半導体層からなる第3のバリア層とを順次積層してなる多層膜であり、かつa<SB>1 </SB><a<SB>0 </SB>≦a<SB>2 </SB>またはa<SB>1 </SB>>a<SB>0 </SB>≧a<SB>2 </SB>であることを特徴とする半導体多重歪量子井戸構造。

IPC (4件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/20 ,  H01L 31/10 ,  H01L 33/00

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-130988
  
• 特開平2-310985
  
• 特開平3-003384