特許
J-GLOBAL ID：200903057634372722
半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-031308
公開番号（公開出願番号）：特開2003-234379
出願日： 2002年02月07日
公開日（公表日）： 2003年08月22日
要約：
【要約】【課題】 ソルダーレジスト下方、微細リード配線部、ポリイミドフィルムと銅箔の界面での銅の過剰溶解を防止すると共に、レジストの密着性を向上させ微細配線パターンの形成を可能とし、また、下地貴金属メッキや合金メッキを施さずに安価でスズメッキの特性を損なうことなくスズメッキのホイスカを抑制し、高い信頼性を有することができる半導体装置用テープキャリアを提供する。【解決手段】 銅箔1全面にスズメッキ層を形成したのち加熱処理でスズメッキ層をスズ-銅合金メッキ層2に置換し、これをポリイミド樹脂フィルム4上に接着剤層3で接着し、合金メッキ層2にフォトレジスト5のコートを行って露光、現像、エッチング、剥膜処理により微細配線パターンを形成し、このパターンの一部分にソルダーレジスト6を印刷し、他の部分にスズメッキ層を形成し、加熱処理により合金メッキ層2を0.20μm以上、純スズ層7を0.15〜0.80μmにする。
請求項（抜粋）：
全面にスズ-銅合金メッキ層が形成された銅箔が絶縁性フィルム上に固着され、前記スズ-銅合金メッキ層の露出部分の前記銅箔に形成された配線パターン上の一部分にソルダーレジストが形成され、他の部分に純スズ層が形成されていることを特徴とする半導体装置用テープキャリア。
Fターム (3件)：
5F044MM03
, 5F044MM23
, 5F044MM48
