特許
J-GLOBAL ID：200903057637663558
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 哲也 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-026623
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226666
出願日： 1992年02月13日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：
【要約】【目的】シリコン窒化膜中に存在するシリコン原子の組成比を増加し、書換え電圧の低電圧化、及び書換え回数の増大を達成した半導体装置の製造方法を提供する。【構成】半導体基板1上に、下層シリコン酸化膜2、シリコン窒化膜3、上層シリコン酸化膜4を形成した後、シリコン窒化膜3、又は、シリコン窒化膜3上層シリコン酸化膜4との界面に、シリコン原子5をイオン注入し、シリコン窒化膜3中のシリコン原子5の組成比を増加する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、下層シリコン酸化膜、シリコン窒化膜及び上層シリコン酸化膜からなる三層構造を有する絶縁膜を介してゲート電極を形成する半導体装置の製造方法において、前記シリコン窒化膜、又は、当該シリコン窒化膜と前記上層シリコン酸化膜との界面に、シリコン原子をイオン注入することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 21/318
