特許
J-GLOBAL ID：200903057639384591
半導体微小共振器光素子および化合物半導体多層膜のドライエッチング方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-054766
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250817
出願日： 1995年03月14日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 共振器を微細化した際にも光学損失の増大が抑制され、且つ活性層側壁での界面再結合による注入キャリアの損失も抑制された低閾値の半導体微小共振器光素子を提供する。【構成】 基板7と、この基板上に、第一の半導体多層膜反射鏡、活性層4を有するスペーサー層5、及び第二の半導体多層膜反射鏡が順次積層された半導体柱状構造体とを有する半導体微小共振器光素子10である。柱状構造体の側面が半導体薄膜により包囲され、かつ、活性層の飽和利得gs 、活性層の厚さta 、及び半導体薄膜に包囲された多層反射膜の実効反射率R ́が、下記(1)に示す関係を満たす。
請求項（抜粋）：
基板と、この基板上に第一の半導体多層膜反射鏡、活性層を有するスペーサ層、および第二の半導体多層膜反射鏡が順次積層された半導体柱状構造体とを具備し、前記柱状構造体の側面が半導体薄膜により包囲され、かつ、前記活性層の飽和利得gs 、活性層の厚さta 、および前記半導体薄膜に包囲された前記多層反射膜の実効反射率R ́が、下記式(1)に示す関係を満たすことを特徴とする半導体微小共振器発光素子。【数1】
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01L 21/3065
, H01L 33/00
H01S 3/18
, H01L 33/00 A
, H01L 21/302 F
