特許
J-GLOBAL ID:200903057641525526
半導体装置の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-014603
公開番号(公開出願番号):特開平11-214570
出願日: 1998年01月27日
公開日(公表日): 1999年08月06日
要約:
【要約】【課題】ボール状の半田片を使用したBGAの半田ボール端子形成方法では、精密なボール搭載用の吸着ユニットや球状の半田片が必要であり、コスト高になる。また、半田片が球状なので所望の場所から転げ落ちてなくなるなど歩留りの低下をもたらす。【解決手段】基板1上に配線パターン16を形成し、ICチップ2を搭載し、金線3で配線パターン16と電気的に接続し、さらにエポキシ樹脂などによって封止する(封止部4)。外部との電気的コンタクトをとるための半田ボールに関しては、半田シート6に対して、予めスタンピング等によってプッシュバック方式で形成されたボール形成用半田片7を、基板1上に設けられたソルダレジスト9の開口部分であるボール搭載部(メッキ部分)5に、半田シート6からプッシャー8によって突き出して、基板1上にボール形成用半田片7を転写する。
請求項(抜粋):
基板上に配線パターンを形成し、ICチップを搭載し、導電性接続手段で該配線パターンと該ICチップを電気的に接続した後樹脂封止し、外部との電気的コンタクトをとるため、半田の端子を基板の所望の場所に形成するような、BGAまたはCSPタイプの半導体装置の製造方法において、外部との電気的コンタクト端子である半田端子(半田ボール)の形成に関し、該半田端子となるサイズの半田の断片を、半田シートから基板上の所望の場所へ打ち抜いて搭載し、加熱接合することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件):
H01L 23/12
, H01L 21/60 311
, H01L 21/60
FI (4件):
H01L 23/12 L
, H01L 21/60 311 S
, H01L 21/92 604 A
, H01L 21/92 604 Z
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