特許

J-GLOBAL ID：200903057651567367

端面窓構造付き半導体レーザ装置の製造方法

発明者： 浜田 弘喜 ,  庄野 昌幸
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-355499
公開番号（公開出願番号）：特開平5-145182
出願日： 1991年11月20日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：

【要約】【目的】 活性層における光出射端部及びその近傍領域の自然超格子を無秩序化し、バンドギャップを広くするために行われるこれらの領域に対する不純物の拡散制御を容易にする。【構成】 活性層24上に積層したp型の第1のクラッド層25における<011 >,<01バー1バー>方向の両端側表面を端末側に向かうに従って活性層24側に漸近する傾斜面25a,25b に形成した後、この第1のクラッド層25表面にZnをドープしたp型の第2のクラッド層28を積層し、この第2のクラッド層28から第1のクラッド層25へ傾斜面25a,25b を通じて不純物であるZnを拡散させる。

請求項（抜粋）：

基板上に導電型がn型のクラッド層、活性層、p型のクラッド層をこの順序で積層してダブルヘテロ構造を形成し、前記p型のクラッド層における光出射方向の両端部にZnを拡散させて端面窓を形成した半導体レーザ装置を製造する方法において、前記p型のクラッド層表面の<011 >及び<01バー1バー>方向の両端部に、端末側に向かうに従って表面が活性層側に漸近する傾斜面を形成する工程と、前記p型のクラッド層表面にZnをドープした他のクラッド層を形成して前記傾斜面から前記一のクラッド層内にZnを拡散させる工程とを含むことを特徴とする端面窓構造付き半導体レーザ装置の製造方法。